|
Компания Micron Technology производит большой спектр NAND Flash памяти для применения в портативной, промышленной, медицинской и другой технике. Микросхемы выпускаются в коммерческом и индустриальном исполнении, что позволяет выбрать более подходящее решение в зависимости от условий эксплуатации конечного устройства, в составе которого будет работать микросхема.
| Номенклатурный номер |
Density
|
Depth
|
Width
|
Напряжение
|
Корпус
|
Рабочий диапазон
|
|
MT29F16G08FAAWC
|
16Gb
|
2Gb
|
x8
|
3.3 В
|
TSOP, 48 выводов
|
от 0 до +70 С
|
|
MT29F16G08FAAWC-ET
|
16Gb
|
2Gb
|
x8
|
3.3 В
|
TSOP, 48 выводов
|
от -40С до +85С
|
|
MT29F1G08ABBHC-ET
|
1Gb
|
128Mb
|
x8
|
1.8 В
|
VFBGA, 63 вывода
|
от -40С до +85С
|
|
MT29F1G16ABBHC-ET
|
1Gb
|
64Mb
|
x16
|
1.8 В
|
VFBGA, 63 вывода
|
от -40С до +85С
|
|
MT29F2G08AACWP
|
2Gb
|
256Mb
|
x8
|
3.3 В
|
TSOP, 48 выводов
|
от 0 до +70 С
|
|
MT29F2G08AACWP-ET
|
2Gb
|
256Mb
|
x8
|
3.3 В
|
TSOP, 48 выводов
|
от -40С до +85С
|
|
MT29F4G08AAAWP
|
4Gb
|
512Mb
|
x8
|
3.3 В
|
TSOP, 48 выводов
|
от 0 до +70 С
|
|
MT29F4G08AAAWP-ET
|
4Gb
|
512Mb
|
x8
|
3.3 В
|
TSOP, 48 выводов
|
от -40С до +85С
|
|
MT29F8G08DAAWC
|
8Gb
|
1Gb
|
x8
|
3.3 В
|
TSOP, 48 выводов
|
от 0 до +70 С
|
|
MT29F8G08DAAWC-ET
|
8Gb
|
1Gb
|
x8
|
3.3 В
|
TSOP, 48 выводов
|
от -40С до +85С
|
|
